1-5KE100CA

1-5KE100CA

Menge
Stückpreis
1-4
0.38fr
5-49
0.31fr
50-99
0.27fr
100-199
0.25fr
200+
0.22fr
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1-5KE100CA. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Dielektrische Struktur: bidirektional. Durchbruchspannung: 100V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Funktion: Schutz gegen Überspannung. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Gehäuse: DO-201. Halbleitermaterial: Silizium. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 85.5V. Hinweis: Transientenunterdrücker. IFSM: 200A. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 85.5V. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500 W @ 1ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1.5 kW. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 105V @ 1mA. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 14:28

Technische Dokumentation (PDF)
1-5KE100CA
23 Parameter
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-50...+175°C
Dielektrische Struktur
bidirektional
Durchbruchspannung
100V
Durchlassspannung Vf (min)
3.5V
Funktion
Schutz gegen Überspannung
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-201 ( 9.0x5.0mm )
Gehäuse
DO-201
Halbleitermaterial
Silizium
Haltespannung in Schließrichtung [V]
85.5V
Hinweis
Transientenunterdrücker
IFSM
200A
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]
5uA @ 85.5V
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]
1500 W @ 1ms
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
1.5 kW
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
5V
Transientenunterdrückertyp
bidirektional
Ubr [V] bei Ibr [A]
105V @ 1mA
Originalprodukt vom Hersteller
Taiwan Semiconductor