1-5KE12A

1-5KE12A

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1-4
0.38fr
5-24
0.32fr
25-49
0.28fr
50-99
0.25fr
100+
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1-5KE12A. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Dielektrische Struktur: unidirektional. Durchbruchspannung: 12V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Funktion: Schutz gegen Überspannung. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Gehäuse: DO-201. Halbleitermaterial: Silizium. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 10.2V. IFSM: 91A. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 10.2V. Leistung: 1500W. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500 W @ 1ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 12.6V @ 1mA. VRRM: 12V. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 14:28

Technische Dokumentation (PDF)
1-5KE12A
25 Parameter
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-50...+175°C
Dielektrische Struktur
unidirektional
Durchbruchspannung
12V
Durchlassspannung Vf (min)
3.5V
Funktion
Schutz gegen Überspannung
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-201 ( 9.0x5.0mm )
Gehäuse
DO-201
Halbleitermaterial
Silizium
Haltespannung in Schließrichtung [V]
10.2V
IFSM
91A
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]
5uA @ 10.2V
Leistung
1500W
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]
1500 W @ 1ms
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
1500W
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
5V
Transientenunterdrückertyp
unidirektional
Ubr [V] bei Ibr [A]
12.6V @ 1mA
VRRM
12V
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec Semiconductor