1-5KE33CA. Anzahl der Terminals: 2. Dielektrische Struktur: bidirektional. Diodentyp: TVS. Durchbruchspannung (Min): 31.4V. Durchbruchspannung: 33V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Eigenschaften des Halbleiters: "Glas passiviert". Funktion: Schutz gegen Überspannung. Gehäuse: DO-27. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: bidirektional. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 28.2V. IFSM: 200A. Information: -. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 28.2V. Leckstrom: 1uA. Leistung: 1.5kW. Max Rückspannung: 28.2V. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500 W @ 1ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 1.5 kW. Pulsstrom max.: 33.3A. RoHS: ja. Rückwärts-Abstandsspannung: 28.2V. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Serie: 1.5KE. Spitzenimpulsstrom (10/1000us): 33A. Spitzenverlustleistung: 1500W. Struktur: bidirektional. Toleranz: 5%. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 34.7V @ 1mA. Originalprodukt vom Hersteller: Lge Technology. Bestandsmenge aktualisiert am 24/11/2025, 03:42