1N5346B, DO-201, 5W, DO-201, 9.1V, 9.1V, 5W

1N5346B, DO-201, 5W, DO-201, 9.1V, 9.1V, 5W

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1N5346B, DO-201, 5W, DO-201, 9.1V, 9.1V, 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 9.1V. Zenerspannung: 9.1V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 7.5uA @ 6.9V. Maximale Temperatur: +150°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Toleranz: 5%. VRRM: 9.1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 2 Ohms @ 150mA. Originalprodukt vom Hersteller: Diodes Inc. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:27

Technische Dokumentation (PDF)
1N5346B
21 Parameter
Gehäuse
DO-201
Pd (Verlustleistung, max)
5W
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-201
Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.
9.1V
Zenerspannung
9.1V
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
5W
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Halbleitermaterial
Silizium
Komponentenfamilie
Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]
7.5uA @ 6.9V
Maximale Temperatur
+150°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Toleranz
5%
VRRM
9.1V
Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]
2 Ohms @ 150mA
Originalprodukt vom Hersteller
Diodes Inc.