1N5364B, DO-201, 5W, DO-201, 33V, 33V, 5W

1N5364B, DO-201, 5W, DO-201, 33V, 33V, 5W

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1N5364B, DO-201, 5W, DO-201, 33V, 33V, 5W. Gehäuse: DO-201. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 33V. Zenerspannung: 33V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Diodentyp: Zenerdiode. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: Diode. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie. Konditionierung: Ammo Pack. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 25.1V. Leistung: 5W. Maximale Temperatur: +150°C.. Montage/Installation: THT. RoHS: ja. Toleranz: 5%. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 10 Ohms @ 40mA. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:14

Technische Dokumentation (PDF)
1N5364B
22 Parameter
Gehäuse
DO-201
Pd (Verlustleistung, max)
5W
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-201
Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.
33V
Zenerspannung
33V
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
5W
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Diodentyp
Zenerdiode
Halbleitermaterial
Silizium
Halbleiterstruktur
Diode
Komponentenfamilie
Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie
Konditionierung
Ammo Pack
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]
0.5uA @ 25.1V
Leistung
5W
Maximale Temperatur
+150°C.
Montage/Installation
THT
RoHS
ja
Toleranz
5%
Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]
10 Ohms @ 40mA
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec Semiconductor