4N25

4N25

Menge
Stückpreis
1-4
0.34fr
5-49
0.28fr
50-99
0.24fr
100-199
0.22fr
200+
0.19fr
+4731 weitere Stück ab Lager lieferbar (Lieferung innerhalb von 4 Stunden). Kontaktieren Sie uns für Preise und Verfügbarkeit!
Veraltetes Produkt, wird bald aus dem Katalog entfernt. Letzte verfügbare Artikel
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 446

4N25. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Anzahl der Kanäle: 1. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 6. Anzahl der Terminals: 6. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Ausgangstyp: Transistor. Betriebstemperatur: -55...+100°C. CTR: 20...50 %. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Ctr@if: 50%@10mA. Diode IF: 60mA. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.3V. Einschaltzeit tr [µsec.]: 2us. Funktion: Fototransistor-Ausgang, mit Basisanschluss. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Gehäuse: DIP. Halbleitertyp: Optokoppler. Ic(Impuls): 100mA. Information: n/a. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Isolationsspannung: 5.3kV. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Kollektorstrom: 50mA. Komponentenfamilie: Optokoppler. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximale Temperatur: +100°C.. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Output CurrentmA: 50mA. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. Rate: 20 %. RoHS: ja. Serie: n/a. Spannung (Sammler - Emitter): 70V. Stromübertragungsverhältnis CTR: 20%. Tf (Typ): 2us. Typ: Transistorausgang. VCBO: 70V. VRRM: 5000V. Vebo: 7V. Zeitschaltzeit: 2us. [V]: 70V. [aktueller MA]: 10mA. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 00:30

Technische Dokumentation (PDF)
4N25
46 Parameter
Abschaltverzögerung tf [μsec.]
3us
Anzahl der Kanäle
1
Anzahl der Kreise
1
Anzahl der Terminals
6
Anzahl der Terminals
6
Art des Eingangs
Infrarot-LED
Ausgang
Transistorausgang mit Basis
Ausgangstyp
Transistor
Betriebstemperatur
-55...+100°C
CTR
20...50 %
Courant ZF-Diode (Spitze)
3A
Ctr@if
50%@10mA
Diode IF
60mA
Diodenleistung
0.1W
Diodenschwellenspannung
1.3V
Einschaltzeit tr [µsec.]
2us
Funktion
Fototransistor-Ausgang, mit Basisanschluss
Gehäuse (laut Datenblatt)
DIP-6
Gehäuse
DIP
Halbleitertyp
Optokoppler
Ic(Impuls)
100mA
Isolationsspannung Uiso [kV]
5 kV
Isolationsspannung
5.3kV
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
70V
Kollektorstrom
50mA
Komponentenfamilie
Optokoppler
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
0.5V
Maximale Temperatur
+100°C.
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Optokopplertyp
Allzweck-Optokoppler
Output CurrentmA
50mA
Pd (Verlustleistung, max)
150mW
Rate
20 %
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
70V
Stromübertragungsverhältnis CTR
20%
Tf (Typ)
2us
Typ
Transistorausgang
VCBO
70V
VRRM
5000V
Vebo
7V
Zeitschaltzeit
2us
[V]
70V
[aktueller MA]
10mA
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay

Gleichwertige Produkte und/oder Zubehör für 4N25