4N33M. Anzahl der Terminals: 6. Ausgang: Darlington-Transistor-Ausgang. Betriebstemperatur: -55...+100°C. CTR: 500 %. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diode IF: 80mA. Diodenleistung: 150mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Funktion: Fototransistor-Ausgang, mit Basisanschluss. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Gehäuse: DIP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Kollektorstrom: 50mA. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Spec info: ton 5us, toff 100us. VCBO: 100V. VECO: 5V. VRRM: 5300V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 00:30