B1000D, 1A, 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 4. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Cj: 25pF. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Gehäuse: DIP. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 50A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Menge pro Karton: 4. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Spec info: IFSM--50Ap. Teilung: 5.08mm. Originalprodukt vom Hersteller: Dc Components Co. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 20:33