BPW17N. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 5us. Anzahl der Terminals: 2. Außenbreite [mm]: 2.4mm. Außendurchmesser [mm]: 1.8mm. Außenlänge [mm]: 3.3mm. Außenstärke [mm]: 3.4mm. Betriebstemperatur: -40...+100°C. Dominante Wellenlänge [nm]: 825nm. Durchmesser/Abmessungen: 1.8mm. Durchmesser: 1.8mm. Einschaltzeit tr [µsec.]: 4.8us. Erfassungswinkel: 12.5°. Funktion: Fototransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: 1.8mm (T-3/4). Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±12°. Hinweis: t(on) 4.8us, t(off) 5.0us. Id(imp): 100mA. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 32V. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 32V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Kollektorstrom: 50mA. Komponentenfamilie: Phototransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 8pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Temperatur: +100°C.. Maximaler Dauerstrom: 100mA. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Transistortyp: NPN. VECO: 5V. Wellenlänge (dominant): 825nm. Wellenlänge: 780nm. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 00:30