BT136-800E, 4A, TO-220, TO-220AB, 800V

BT136-800E, 4A, TO-220, TO-220AB, 800V

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BT136-800E, 4A, TO-220, TO-220AB, 800V. Maximaler Dauerstrom: 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VDRM: 800V. Aktuelle Ih halten: 15uA. Anzahl der Terminals: 3. Auf Status Current It RMS: 4A. Ausflugsstrom: 10/25mA. Eigenschaften des Halbleiters: Sensibles Tor. Es ist M: 25A. Funktion: empfindlicher Gate-Triac. Gate-Triggerspannung Vgt: 1.5V. Gate-Triggerstrom Igt: 10mA. Halbleitertyp: Triac. IT(RSM) (TC=85°C): 4A. Igt (Typ): 2.5mA. Igt (max): 10mA. Ih (Typ): 2.2mA. Ih (max): 15mA. Information: n/a. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. MSL: n/a. Max Rückspannung: 800V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Serie: n/a. Spec info: Itsm--t=20ms 25A, t=16.7ms 27A. Spitzentransientenstrom Itsm: 25A. Strom fahren: 4A. Technologie: 4Q. Temperatur: +125°C. Tgt: 2us. Typ: TRIAC. Verpackung: tubus. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:02

Technische Dokumentation (PDF)
BT136-800E
34 Parameter
Maximaler Dauerstrom
4A
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
VDRM
800V
Aktuelle Ih halten
15uA
Anzahl der Terminals
3
Auf Status Current It RMS
4A
Ausflugsstrom
10/25mA
Eigenschaften des Halbleiters
Sensibles Tor
Es ist M
25A
Funktion
empfindlicher Gate-Triac
Gate-Triggerspannung Vgt
1.5V
Gate-Triggerstrom Igt
10mA
Halbleitertyp
Triac
IT(RSM) (TC=85°C)
4A
Igt (Typ)
2.5mA
Igt (max)
10mA
Ih (Typ)
2.2mA
Ih (max)
15mA
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Max Rückspannung
800V
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Spec info
Itsm--t=20ms 25A, t=16.7ms 27A
Spitzentransientenstrom Itsm
25A
Strom fahren
4A
Technologie
4Q
Temperatur
+125°C
Tgt
2us
Typ
TRIAC
Verpackung
tubus
Originalprodukt vom Hersteller
Philips Semiconductors

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