BTW68-1200RG

BTW68-1200RG

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BTW68-1200RG. Anzahl der Terminals: 3. Effektiver Strom (periodisch) Iav [A], max.: 19A. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: TOP-3I. Herstellerkennzeichnung: BTW68-1200. Igm[A]: 50mA. Komponentenfamilie: Hochleistungsthyristor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +125°C.. RoHS: ja. Spitzenspannung (repetitiv) Urrm [V]: 1.2 kV. Spitzenstrom (nicht repetitiv) IP [a]: 400A. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:22

Technische Dokumentation (PDF)
BTW68-1200RG
12 Parameter
Anzahl der Terminals
3
Effektiver Strom (periodisch) Iav [A], max.
19A
Gehäuse
TOP-3I
Herstellerkennzeichnung
BTW68-1200
Igm[A]
50mA
Komponentenfamilie
Hochleistungsthyristor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+125°C.
RoHS
ja
Spitzenspannung (repetitiv) Urrm [V]
1.2 kV
Spitzenstrom (nicht repetitiv) IP [a]
400A
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics