BZT03C10. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Dielektrische Struktur: unidirektional. Durchbruchspannung: 10V. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 10uA. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 3.25W. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Zenerspannung: 10V. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 20:38