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BZW06-13B
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BZW06-13B. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Dielektrische Struktur: bidirektional. Durchbruchspannung (Min): 14.3V. Durchbruchspannung: 13V. Funktion: Überspannungsschutz, bidirektionale Schutzdiode. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 6.3x3mm ). Gehäuse: DO-15. Halbleitermaterial: Silizium. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 12.8V. Hinweis: 600W / 1ms, VRM 12.8V. Information: -. Komponentenfamilie: Zweiwege-Entstörer der BZW 06-Serie (600 W bei 1 ms). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 12.8V. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600 W @ 1ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. RoHS: ja. Rückwärts-Abstandsspannung: 12.8V. Serie: BZW06. Spec info: Ifsm 100Ap. Spitzenimpulsstrom (10/1000us): 28A. Spitzenverlustleistung: 600W. Struktur: bidirektional. Temperatur: +175°C. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15.8V @ 1mA. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 20:38
BZW06-13B
30 Parameter
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-50...+175°C
Dielektrische Struktur
bidirektional
Durchbruchspannung (Min)
14.3V
Durchbruchspannung
13V
Funktion
Überspannungsschutz, bidirektionale Schutzdiode
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-15 ( 6.3x3mm )
Gehäuse
DO-15
Halbleitermaterial
Silizium
Haltespannung in Schließrichtung [V]
12.8V
Hinweis
600W / 1ms, VRM 12.8V
Komponentenfamilie
Zweiwege-Entstörer der BZW 06-Serie (600 W bei 1 ms)
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]
5uA @ 12.8V
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]
600 W @ 1ms
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
THT
RoHS
ja
Rückwärts-Abstandsspannung
12.8V
Serie
BZW06
Spec info
Ifsm 100Ap
Spitzenimpulsstrom (10/1000us)
28A
Spitzenverlustleistung
600W
Struktur
bidirektional
Temperatur
+175°C
Transientenunterdrückertyp
bidirektional
Ubr [V] bei Ibr [A]
15.8V @ 1mA
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec Semiconductor