BZW06-20B

BZW06-20B

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BZW06-20B. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Dielektrische Struktur: bidirektional. Durchbruchspannung: min 22.8V, nom 24V, max 26.4V (1mA), clamping 33.2V (18A). Funktion: Überspannungsschutz, bidirektionale Schutzdiode. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 (6.3x3mm). Gehäuse: DO-15. Halbleitermaterial: Silizium. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 20.5V. Komponentenfamilie: Zweiwege-Entstörer der BZW 06-Serie (600 W bei 1 ms). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 20.5V. Leistung: 1.7 W (600W Peak Pulse TA=25°C, Tp=1ms). Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600 W @ 1ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Spec info: 600W / 1ms, VRM 20.5V. Toleranz: 5%. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 25.2V @ 1mA. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 20:38

Technische Dokumentation (PDF)
BZW06-20B
22 Parameter
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-50...+175°C
Dielektrische Struktur
bidirektional
Durchbruchspannung
min 22.8V, nom 24V, max 26.4V (1mA), clamping 33.2V (18A)
Funktion
Überspannungsschutz, bidirektionale Schutzdiode
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-15 (6.3x3mm)
Gehäuse
DO-15
Halbleitermaterial
Silizium
Haltespannung in Schließrichtung [V]
20.5V
Komponentenfamilie
Zweiwege-Entstörer der BZW 06-Serie (600 W bei 1 ms)
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]
5uA @ 20.5V
Leistung
1.7 W (600W Peak Pulse TA=25°C, Tp=1ms)
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]
600 W @ 1ms
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Spec info
600W / 1ms, VRM 20.5V
Toleranz
5%
Transientenunterdrückertyp
bidirektional
Ubr [V] bei Ibr [A]
25.2V @ 1mA
Originalprodukt vom Hersteller
Taiwan Semiconductor