BZW06-33

BZW06-33

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Stückpreis
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0.19fr
5-49
0.15fr
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100-199
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200+
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BZW06-33. Abmessungen: 6.7x3.1mm. Anzahl der Terminals: 2. Dielektrische Struktur: unidirektional. Diodentyp: TVS. Durchbruchspannung (Min): 37.1V. Durchbruchspannung: 37.1V. Funktion: Überspannungsschutz, unidirektionale Schutzdiode. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AC (DO-15). Gehäuse: DO-15. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: bidirektional. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 33.3V. IFSM: 100A. Information: -. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Entstörer der Serie BZW 06 (600 W bei 1 ms). Konditionierung: Ammo Pack. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 33.3V. Leistung: 600W. Max Rückspannung: 33.3V. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 1.7 W (600W Peak Pulse TA=25°C, Tp=1ms). Pulsstrom max.: 11.1A. RoHS: ja. Rückstrom: 5uA. Rückwärts-Abstandsspannung: 33.3V. Serie: BZW06. Spitzenimpulsstrom (10/1000us): 11.1A. Spitzenverlustleistung: 600W. Struktur: unidirektional. Toleranz: 5%. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 41V @ 1mA. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 20:38

Technische Dokumentation (PDF)
BZW06-33
36 Parameter
Abmessungen
6.7x3.1mm
Anzahl der Terminals
2
Dielektrische Struktur
unidirektional
Diodentyp
TVS
Durchbruchspannung (Min)
37.1V
Durchbruchspannung
37.1V
Funktion
Überspannungsschutz, unidirektionale Schutzdiode
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-204AC (DO-15)
Gehäuse
DO-15
Halbleitermaterial
Silizium
Halbleiterstruktur
bidirektional
Haltespannung in Schließrichtung [V]
33.3V
IFSM
100A
Komponentenfamilie
Unidirektionaler Entstörer der Serie BZW 06 (600 W bei 1 ms)
Konditionierung
Ammo Pack
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]
5uA @ 33.3V
Leistung
600W
Max Rückspannung
33.3V
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]
600W @ 1ms
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
THT
Pd (Verlustleistung, max)
1.7 W (600W Peak Pulse TA=25°C, Tp=1ms)
Pulsstrom max.
11.1A
RoHS
ja
Rückstrom
5uA
Rückwärts-Abstandsspannung
33.3V
Serie
BZW06
Spitzenimpulsstrom (10/1000us)
11.1A
Spitzenverlustleistung
600W
Struktur
unidirektional
Toleranz
5%
Transientenunterdrückertyp
unidirektional
Ubr [V] bei Ibr [A]
41V @ 1mA
Originalprodukt vom Hersteller
Taiwan Semiconductor