BZX79C33, 33V, DO-35 ( SOD27 ), 0.5W, DO-35

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BZX79C33, 33V, DO-35 ( SOD27 ), 0.5W, DO-35. Zenerspannung: 33V. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Anzahl der Terminals: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodentyp: Zenerdiode. Funktion: Zenerdiode. Halbleitermaterial: Silizium. Leistung: 0.5W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Toleranz: 5%. Äquivalente: 1N5257B, BZX79C33, ZPD33. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 14:28

Technische Dokumentation (PDF)
BZX79C33
17 Parameter
Zenerspannung
33V
Gehäuse
DO-35 ( SOD27 )
Pd (Verlustleistung, max)
0.5W
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-35
Anzahl der Terminals
2
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodentyp
Zenerdiode
Funktion
Zenerdiode
Halbleitermaterial
Silizium
Leistung
0.5W
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Toleranz
5%
Äquivalente
1N5257B, BZX79C33, ZPD33
Originalprodukt vom Hersteller
Taiwan Semiconductor
Mindestmenge
10