BZX84C6V2, SOT-23, 0.35W, TO-236AB, 6.2V, 0.25W

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BZX84C6V2, SOT-23, 0.35W, TO-236AB, 6.2V, 0.25W. Gehäuse: SOT-23. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 6.2V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Anzahl der Terminals: 3. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SI-Z SMD. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 3uA @ 4V. Maximale Temperatur: +150°C.. RoHS: ja. Teilung: 2.9x1.5mm. VRRM: 6V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 400 Ohms @ 1mA. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 03:33

Technische Dokumentation (PDF)
BZX84C6V2
18 Parameter
Gehäuse
SOT-23
Pd (Verlustleistung, max)
0.35W
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-236AB
Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.
6.2V
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.25W
Anzahl der Terminals
3
Halbleitermaterial
Silizium
Hinweis
SI-Z SMD
Komponentenfamilie
Zenerdiode, SMD-Montage, max, 250 mW
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]
3uA @ 4V
Maximale Temperatur
+150°C.
RoHS
ja
Teilung
2.9x1.5mm
VRRM
6V
Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]
400 Ohms @ 1mA
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor
Mindestmenge
10