Diode BAS316, 0.5A, 1A, SOD-323, SOD-323, 85V
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Diode BAS316, 0.5A, 1A, SOD-323, SOD-323, 85V. Vorwärtsstrom (AV): 0.5A. IFSM: 1A. Gehäuse: SOD-323. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-323. VRRM: 85V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Cj: 1.5pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 0.715V. Funktion: Hochgeschwindigkeitsdiode. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A6. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Produktionsdatum: 2014/22. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Spec info: IFSM--4A(t=1us), 1A(t=1ms). Trr-Diode (Min.): 4 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:01
BAS316
22 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
0.5A
IFSM
1A
Gehäuse
SOD-323
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOD-323
VRRM
85V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-65...+150°C
Cj
1.5pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
0.715V
Funktion
Hochgeschwindigkeitsdiode
Halbleitermaterial
Silizium
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
A6
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Produktionsdatum
2014/22
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
1.25V
Spec info
IFSM--4A(t=1us), 1A(t=1ms)
Trr-Diode (Min.)
4 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Nxp Semiconductors
Mindestmenge
10