Diode BAT54, SOT-23 ( TO-236 ), 30 v, 0.1A, 200mA, 600mA, SOT-23 ( TO236 )

Diode BAT54, SOT-23 ( TO-236 ), 30 v, 0.1A, 200mA, 600mA, SOT-23 ( TO236 )

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Diode BAT54, SOT-23 ( TO-236 ), 30 v, 0.1A, 200mA, 600mA, SOT-23 ( TO236 ). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). VRRM: 30 v. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.1A. Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Cj: 10pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Diodentyp: Schottky. Durchlassspannung (max.): <1V / 0.1A. Durchlassspannung Vf (min): 240mV. Funktion: Schottky-Diode. Halbleitermaterial: Sb. Information: -. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: L4. MRT (maximal): 2uA. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Montageart: SMD. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 5ns. Rückwärtsleckstrom: 2uA / 25V. Schwellenspannung Vf (max): 800mV. Serie: BAT. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Trr-Diode (Min.): 5 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:18

Technische Dokumentation (PDF)
BAT54
29 Parameter
Gehäuse
SOT-23 ( TO-236 )
VRRM
30 v
Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode
0.1A
Vorwärtsstrom (AV)
200mA
IFSM
600mA
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-23 ( TO236 )
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-65...+150°C
Cj
10pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodenkonfiguration
unabhängig
Diodentyp
Schottky
Durchlassspannung (max.)
<1V / 0.1A
Durchlassspannung Vf (min)
240mV
Funktion
Schottky-Diode
Halbleitermaterial
Sb
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
L4
MRT (maximal)
2uA
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Montageart
SMD
Reverse-Recovery-Zeit (max.)
5ns
Rückwärtsleckstrom
2uA / 25V
Schwellenspannung Vf (max)
800mV
Serie
BAT
Spec info
IFSM--600mAp (t=10ms)
Trr-Diode (Min.)
5 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Philips Semiconductors
Mindestmenge
10