Diode BAT54C, SOT-23 ( TO-236 ), 30 v, 0.1A, 200mA, 600mA, SOT-23 ( TO236 )

Diode BAT54C, SOT-23 ( TO-236 ), 30 v, 0.1A, 200mA, 600mA, SOT-23 ( TO236 )

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Diode BAT54C, SOT-23 ( TO-236 ), 30 v, 0.1A, 200mA, 600mA, SOT-23 ( TO236 ). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). VRRM: 30 v. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.1A. Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Cj: 10pF. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Diodentyp: Schottky-Gleichrichterdiode. Durchlassspannung (max.): <1V / 0.1A. Durchlassspannung Vf (min): 240mV. Funktion: Doppelte Schottky-Diode. Halbleitermaterial: Sb. Information: -. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: L43 oder W1. Leitungsspannung (Schwellenspannung): 0.8V, 800mV. MRT (maximal): 2uA. Max Rückspannung: 30V. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Montageart: SMD. Pulsstrom max.: 600mA. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 5ns. RoHS: ja. Rückwärtsleckstrom: 2uA / 25V. Schwellenspannung Vf (max): 800mV. Schwellenspannung: 800mV. Serie: BAT. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Strom fahren: 200mA. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:18

Technische Dokumentation (PDF)
BAT54C
34 Parameter
Gehäuse
SOT-23 ( TO-236 )
VRRM
30 v
Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode
0.1A
Vorwärtsstrom (AV)
200mA
IFSM
600mA
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-23 ( TO236 )
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-65...+150°C
Cj
10pF
Dielektrische Struktur
gemeinsame Kathode
Diodentyp
Schottky-Gleichrichterdiode
Durchlassspannung (max.)
<1V / 0.1A
Durchlassspannung Vf (min)
240mV
Funktion
Doppelte Schottky-Diode
Halbleitermaterial
Sb
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
L43 oder W1
Leitungsspannung (Schwellenspannung)
0.8V, 800mV
MRT (maximal)
2uA
Max Rückspannung
30V
Menge pro Karton
2
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Montageart
SMD
Pulsstrom max.
600mA
Reverse-Recovery-Zeit (max.)
5ns
RoHS
ja
Rückwärtsleckstrom
2uA / 25V
Schwellenspannung Vf (max)
800mV
Schwellenspannung
800mV
Serie
BAT
Spec info
IFSM--600mAp (t=10ms)
Strom fahren
200mA
Trr-Diode (Min.)
5 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Nxp Semiconductors
Mindestmenge
10