Diode BY299, DO-201, 800V, 2A, 2A, 2A, 70A, DO-15 ( 7.6x3.6mm )

Diode BY299, DO-201, 800V, 2A, 2A, 2A, 70A, DO-15 ( 7.6x3.6mm )

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Diode BY299, DO-201, 800V, 2A, 2A, 2A, 70A, DO-15 ( 7.6x3.6mm ). Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. VRRM: 800V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 2A. Vorwärtsstrom (AV): 2A. Vorwärtsstrom [A]: 2A. IFSM: 70A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Cj: 40pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Eigenschaften des Halbleiters: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Funktion: FAST RECOVERY RECTIFIER. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: Diode. Ifsm [A]: 80A. Information: -. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr&lt;500ns). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA. Leitungsspannung (Schwellenspannung): 1.3V. MSL: -. Max Rückspannung: 0.8kV, 800V. Maximale Temperatur: +175°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. Pulsstrom max.: 70A. Reaktionszeit: 0.5us. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 500ns. RoHS: ja. Rückwärtsleckstrom: <5uA / 800V. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 500 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 800V. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Spec info: Ifms 70Ap. Strom fahren: 2A. Trr-Diode (Min.): 500 ns. [V]: 1.3V @ 3A. Originalprodukt vom Hersteller: Dc Components Co. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 14:24

Technische Dokumentation (PDF)
BY299
43 Parameter
Gehäuse
DO-201
VRRM
800V
Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode
2A
Vorwärtsstrom (AV)
2A
Vorwärtsstrom [A]
2A
IFSM
70A
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-15 ( 7.6x3.6mm )
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-65...+150°C
Cj
40pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodenkonfiguration
unabhängig
Diodentyp
Gleichrichterdiode
Durchlassspannung Vf (min)
1.3V
Eigenschaften des Halbleiters
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
Funktion
FAST RECOVERY RECTIFIER
Halbleitermaterial
Silizium
Halbleiterstruktur
Diode
Ifsm [A]
80A
Komponentenfamilie
Schnelle Gleichrichterdiode (tr&lt;500ns)
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
5uA
Leitungsspannung (Schwellenspannung)
1.3V
Max Rückspannung
0.8kV, 800V
Maximale Temperatur
+175°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
THT
Pulsstrom max.
70A
Reaktionszeit
0.5us
Reverse-Recovery-Zeit (max.)
500ns
RoHS
ja
Rückwärtsleckstrom
<5uA / 800V
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
500 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
800V
Schwellenspannung Vf (max)
1.3V
Spec info
Ifms 70Ap
Strom fahren
2A
Trr-Diode (Min.)
500 ns
[V]
1.3V @ 3A
Originalprodukt vom Hersteller
Dc Components Co
Mindestmenge
10