Diode BY500-800, DO-201, 800V, 5A, 5A, 200A, 5A, DO-201 ( 7.5x5.4mm )

Diode BY500-800, DO-201, 800V, 5A, 5A, 200A, 5A, DO-201 ( 7.5x5.4mm )

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Stückpreis
1-4
0.21fr
5-24
0.20fr
25-49
0.18fr
50-99
0.16fr
100+
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Diode BY500-800, DO-201, 800V, 5A, 5A, 200A, 5A, DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 5A. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 5A. IFSM: 200A. Vorwärtsstrom [A]: 5A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Durchlassspannung (max.): <1.3V / 5A. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Eigenschaften des Halbleiters: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: Diode. Ifsm [A]: 220A. Information: -. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr&lt;500ns). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA. Leitungsspannung (Schwellenspannung): 1.3V. MRT (maximal): 10uA. MSL: -. Max Rückspannung: 800V. Maximale Temperatur: +175°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. Pulsstrom max.: 200A. Reaktionszeit: 200ns. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 200ns. RoHS: nein. Rückwärtsleckstrom: <5uA / 800V. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 200 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 800V. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Serie: BY500. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Strom fahren: 20A. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Verpackung: Ammo Pack. [V]: 1.3V @ 5A. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 08:57

Technische Dokumentation (PDF)
BY500-800
45 Parameter
Gehäuse
DO-201
VRRM
800V
Vorwärtsstrom (AV)
5A
Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode
5A
IFSM
200A
Vorwärtsstrom [A]
5A
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-201 ( 7.5x5.4mm )
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-50...+175°C
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodenkonfiguration
unabhängig
Diodentyp
Gleichrichterdiode
Durchlassspannung (max.)
<1.3V / 5A
Durchlassspannung Vf (min)
1.3V
Eigenschaften des Halbleiters
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
Funktion
Silizium-Schnellgleichrichterdiode
Halbleitermaterial
Silizium
Halbleiterstruktur
Diode
Ifsm [A]
220A
Komponentenfamilie
Schnelle Gleichrichterdiode (tr&lt;500ns)
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
5uA
Leitungsspannung (Schwellenspannung)
1.3V
MRT (maximal)
10uA
Max Rückspannung
800V
Maximale Temperatur
+175°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
THT
Pulsstrom max.
200A
Reaktionszeit
200ns
Reverse-Recovery-Zeit (max.)
200ns
RoHS
nein
Rückwärtsleckstrom
<5uA / 800V
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
200 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
800V
Schwellenspannung Vf (max)
1.3V
Serie
BY500
Spec info
Ifsm--200App t=10mS
Strom fahren
20A
Trr-Diode (Min.)
200 ns
Verpackung
Ammo Pack
[V]
1.3V @ 5A
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec Semiconductor

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