Diode BYT30P-1000, 30A, 200A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1000V
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Diode BYT30P-1000, 30A, 200A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 200A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 1.8V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Metallteil, das mit der Kathode verbunden ist. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 100uA. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.9V. Spec info: IFSM 200Ap t=10ms. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 08:57
BYT30P-1000
19 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
30A
IFSM
200A
Gehäuse
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
VRRM
1000V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-40...+150°C
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
1.8V
Halbleitermaterial
Silizium
Hinweis
Metallteil, das mit der Kathode verbunden ist
MRT (maximal)
5mA
MRT (min)
100uA
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
1.9V
Spec info
IFSM 200Ap t=10ms
Trr-Diode (Min.)
70 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics