Diode DSEI120-12A, 100A, 600A, TO-247, TO-247AD, 1200V

Diode DSEI120-12A, 100A, 600A, TO-247, TO-247AD, 1200V

Menge
Stückpreis
1-4
14.72fr
5-9
13.04fr
10-29
11.95fr
30-59
11.18fr
60+
10.13fr
Menge auf Lager: 24

Diode DSEI120-12A, 100A, 600A, TO-247, TO-247AD, 1200V. Vorwärtsstrom (AV): 100A. IFSM: 600A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1200V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 1.55V. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Halbleitermaterial: Silizium. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 1.5mA. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 357W. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.8V. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=150°C. Technologie: „Epitaxiediode (FRED)“. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 11:43

Technische Dokumentation (PDF)
DSEI120-12A
24 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
100A
IFSM
600A
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AD
VRRM
1200V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-40...+150°C
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
1.55V
Funktion
„Schnelle Wiederherstellung“
Halbleitermaterial
Silizium
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
30
MRT (maximal)
20mA
MRT (min)
1.5mA
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
357W
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
1.8V
Spec info
540Ap t=10ms, TVJ=150°C
Technologie
„Epitaxiediode (FRED)“
Trr-Diode (Min.)
40 ns
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS