Diode DSEI2X101-12A, 2x91A, 900A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 1200V

Diode DSEI2X101-12A, 2x91A, 900A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 1200V

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Diode DSEI2X101-12A, 2x91A, 900A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 1200V. Vorwärtsstrom (AV): 2x91A. IFSM: 900A. Gehäuse: ISOTOP ( SOT227B ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 1200V. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 1.61V. Funktion: Dual-Fast-Recovery-Diode. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 900App/10ms, 45°C. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 10. Lieferzeit: KB. MRT (maximal): 15mA. MRT (min): 1.5mA. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: schrauben. Pd (Verlustleistung, max): 250W. Schwellenspannung Vf (max): 1.87V. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C. Technologie: „Epitaxiediode“. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 11:43

Technische Dokumentation (PDF)
DSEI2X101-12A
24 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
2x91A
IFSM
900A
Gehäuse
ISOTOP ( SOT227B )
Gehäuse (laut Datenblatt)
ISOTOP ( SOT227B )
VRRM
1200V
Betriebstemperatur
-40...+150°C
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
1.61V
Funktion
Dual-Fast-Recovery-Diode
Halbleitermaterial
Silizium
Hinweis
900App/10ms, 45°C
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
10
Lieferzeit
KB
MRT (maximal)
15mA
MRT (min)
1.5mA
Menge pro Karton
2
Montage/Installation
schrauben
Pd (Verlustleistung, max)
250W
Schwellenspannung Vf (max)
1.87V
Spec info
810Ap t=10ms, TVJ=150°C
Technologie
„Epitaxiediode“
Trr-Diode (Min.)
40 ns
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS