Diode DSEI2X121-02A, ISOTOP ( SOT227B ), 2x123A, 2x123A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), 200V. Gehäuse: ISOTOP ( SOT227B ). Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Vorwärtsstrom [A]: 2x123A. Vorwärtsstrom (AV): 2x123A. IFSM: 1200A. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 4. Anzahl der Terminals: 4. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 0.89V. Funktion: Dual-Fast-Recovery-Diode. Halbleitermaterial: Silizium. Ifsm [A]: 1200A. Komponentenfamilie: Silizium-Gleichrichterdiode. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 10. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 1mA..20mA. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 1mA. Maximale Temperatur: +150°C.. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: schrauben. Pd (Verlustleistung, max): 357W. RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 50 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 200V. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Spec info: 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Technologie: „Epitaxiediode“. Trr-Diode (Min.): 35 ns. [V]: 1.1V @ 120A. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 11:43