Diode DSEP30-12A, TO-247, TO-247AD, 30A, 30A, 200A, TO-247AD, 1200V

Diode DSEP30-12A, TO-247, TO-247AD, 30A, 30A, 200A, TO-247AD, 1200V

Menge
Stückpreis
1-4
7.37fr
5-9
6.82fr
10-24
6.16fr
25+
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Diode DSEP30-12A, TO-247, TO-247AD, 30A, 30A, 200A, TO-247AD, 1200V. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AD. Vorwärtsstrom [A]: 30A. Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 200A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1200V. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 1.78V. Funktion: Diode „sanfte Erholung“. Halbleitermaterial: Silizium. Ifsm [A]: 200A. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 250uA..1mA. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 250uA. Maximale Temperatur: +175°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 165W. RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 40 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1.2 kV. Schwellenspannung Vf (max): 2.74V. Spec info: 200Ap t=10ms, TVJ=45°C. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. [V]: 2.74V @ 30A. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:03

Technische Dokumentation (PDF)
DSEP30-12A
35 Parameter
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-247AD
Vorwärtsstrom [A]
30A
Vorwärtsstrom (AV)
30A
IFSM
200A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AD
VRRM
1200V
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+175°C
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
1.78V
Funktion
Diode „sanfte Erholung“
Halbleitermaterial
Silizium
Ifsm [A]
200A
Komponentenfamilie
Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns)
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
30
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
250uA..1mA
MRT (maximal)
1mA
MRT (min)
250uA
Maximale Temperatur
+175°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
165W
RoHS
ja
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
40 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
1.2 kV
Schwellenspannung Vf (max)
2.74V
Spec info
200Ap t=10ms, TVJ=45°C
Technologie
HiPerFREDTM Epitaxial Diode
Trr-Diode (Min.)
40 ns
[V]
2.74V @ 30A
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS