Diode DSEP60-12A, 70A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V

Diode DSEP60-12A, 70A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V

Menge
Stückpreis
1-4
10.26fr
5-9
9.31fr
10-14
11.20fr
15-29
8.61fr
30-59
7.51fr
60+
6.71fr
Menge auf Lager: 27

Diode DSEP60-12A, 70A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V. Vorwärtsstrom (AV): 70A. IFSM: 500A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1200V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 1.74V. Funktion: Diode „sanfte Erholung“. Halbleitermaterial: Silizium. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. MRT (maximal): 2.5mA. MRT (min): 650uA. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 2.66V. Spec info: 500Ap t=10ms, TVJ=45°C. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:03

Technische Dokumentation (PDF)
DSEP60-12A
24 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
70A
IFSM
500A
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AD
VRRM
1200V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+175°C
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
1.74V
Funktion
Diode „sanfte Erholung“
Halbleitermaterial
Silizium
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
30
MRT (maximal)
2.5mA
MRT (min)
650uA
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
190W
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
2.66V
Spec info
500Ap t=10ms, TVJ=45°C
Technologie
HiPerFREDTM Epitaxial Diode
Trr-Diode (Min.)
40 ns
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS