Diode ER2J, DO-214, 2A, 50A, 600V, 2A, SMB / DO214AA

Diode ER2J, DO-214, 2A, 50A, 600V, 2A, SMB / DO214AA

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Stückpreis
1-4
0.19fr
5-49
0.16fr
50-99
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100-199
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200+
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Diode ER2J, DO-214, 2A, 50A, 600V, 2A, SMB / DO214AA. Gehäuse: DO-214. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. VRRM: 600V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 2A. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB / DO214AA. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Cj: 15pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Diodentyp: Switching. Durchlassspannung (max.): <1.7V / 1A. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. Halbleitermaterial: Silizium. Information: -. MRT (maximal): 300uA. MRT (min): 5uA. MSL: -. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Montageart: SMD. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 75ns. RoHS: ja. Rückwärtsleckstrom: 5uA / 600V. Schwellenspannung Vf (max): -. Serie: ER2. Tr: 75 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 01:27

Technische Dokumentation (PDF)
ER2J
25 Parameter
Gehäuse
DO-214
Vorwärtsstrom (AV)
2A
IFSM
50A
VRRM
600V
Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode
2A
Gehäuse (laut Datenblatt)
SMB / DO214AA
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-50...+150°C
Cj
15pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodenkonfiguration
unabhängig
Diodentyp
Switching
Durchlassspannung (max.)
<1.7V / 1A
Durchlassspannung Vf (min)
1.7V
Halbleitermaterial
Silizium
MRT (maximal)
300uA
MRT (min)
5uA
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Montageart
SMD
Reverse-Recovery-Zeit (max.)
75ns
RoHS
ja
Rückwärtsleckstrom
5uA / 600V
Serie
ER2
Tr
75 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec Semiconductor