Diode MBR1060, TO-220, 10A, 60V, 150A, 10A, TO-220AC

Diode MBR1060, TO-220, 10A, 60V, 150A, 10A, TO-220AC

Menge
Stückpreis
1-4
0.75fr
5-24
0.62fr
25-49
0.54fr
50-99
0.49fr
100+
0.42fr
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Diode MBR1060, TO-220, 10A, 60V, 150A, 10A, TO-220AC. Gehäuse: TO-220. Vorwärtsstrom (AV): 10A. VRRM: 60V. IFSM: 150A. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Diodentyp: Schottky. Durchlassspannung (max.): <0.70V / 10A. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V. Halbleitermaterial: Sb. Information: -. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B1060. MRT (maximal): 6mA. MRT (min): 0.1mA. MSL: n/a. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. RoHS: ja. Rückwärtsleckstrom: 0.1mA / 60V. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Serie: MBR10. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:43

Technische Dokumentation (PDF)
MBR1060
25 Parameter
Gehäuse
TO-220
Vorwärtsstrom (AV)
10A
VRRM
60V
IFSM
150A
Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode
10A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AC
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-65...+150°C
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodenkonfiguration
unabhängig
Diodentyp
Schottky
Durchlassspannung (max.)
<0.70V / 10A
Durchlassspannung Vf (min)
0.7V
Halbleitermaterial
Sb
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
B1060
MRT (maximal)
6mA
MRT (min)
0.1mA
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
THT
RoHS
ja
Rückwärtsleckstrom
0.1mA / 60V
Schwellenspannung Vf (max)
0.95V
Serie
MBR10
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor