Diode MUR4100E, 4A, 70A, DO-201, D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03, 1000V
Menge
Stückpreis
1-4
0.66fr
5-24
0.56fr
25-49
0.49fr
50-99
0.44fr
100+
0.38fr
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Diode MUR4100E, 4A, 70A, DO-201, D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03, 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 4A. IFSM: 70A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 1.53V. Funktion: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MUR4100E. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.85V. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Äquivalente: MUR4100ERLG. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:43
MUR4100E
18 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
4A
IFSM
70A
Gehäuse
DO-201
Gehäuse (laut Datenblatt)
D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03
VRRM
1000V
Anzahl der Terminals
2
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
1.53V
Funktion
Ultrafast Switchmode Power Rectifiers
Halbleitermaterial
Silizium
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
MUR4100E
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
1.85V
Trr-Diode (Min.)
50 ns
Äquivalente
MUR4100ERLG
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor