Diode MURS160T3G, 1A, 35A, DO-214, SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ), 600V

Diode MURS160T3G, 1A, 35A, DO-214, SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ), 600V

Menge
Stückpreis
1-4
0.20fr
5-49
0.16fr
50-99
0.14fr
100-199
0.13fr
200+
0.11fr
Menge auf Lager: 1890

Diode MURS160T3G, 1A, 35A, DO-214, SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ), 600V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 35A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Dioden-Tff (25 °C): 50 ns. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V. Funktion: Ultrafast Power Rectifiers. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Siebdruck/CMS-Code U1J. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U1J. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:43

Technische Dokumentation (PDF)
MURS160T3G
20 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
1A
IFSM
35A
Gehäuse
DO-214
Gehäuse (laut Datenblatt)
SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm )
VRRM
600V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-65...+175°C
Dioden-Tff (25 °C)
50 ns
Durchlassspannung Vf (min)
1.05V
Funktion
Ultrafast Power Rectifiers
Halbleitermaterial
Silizium
Hinweis
Siebdruck/CMS-Code U1J
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
U1J
MRT (maximal)
150uA
MRT (min)
5uA
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
1.25V
Trr-Diode (Min.)
75 ns
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor