Diode RF2001T3D, 20A, 100A, TO-220FP, TO-220FN, 350V

Diode RF2001T3D, 20A, 100A, TO-220FP, TO-220FN, 350V

Menge
Stückpreis
1-4
1.31fr
5-24
1.08fr
25-49
1.00fr
50+
0.92fr
Menge auf Lager: 42

Diode RF2001T3D, 20A, 100A, TO-220FP, TO-220FN, 350V. Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FN. VRRM: 350V. Anzahl der Terminals: 3. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Funktion: Schnell schaltende Diode mit schneller Erholung. Halbleitermaterial: Silizium. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. MRT (maximal): 10uA. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Spec info: IFMS 100Ap. Temperatur: +150°C. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Originalprodukt vom Hersteller: ROHM. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 22:14

Technische Dokumentation (PDF)
RF2001T3D
20 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
20A
IFSM
100A
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220FN
VRRM
350V
Anzahl der Terminals
3
Dielektrische Struktur
gemeinsame Kathode
Funktion
Schnell schaltende Diode mit schneller Erholung
Halbleitermaterial
Silizium
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
MRT (maximal)
10uA
Menge pro Karton
2
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
1.3V
Spec info
IFMS 100Ap
Temperatur
+150°C
Trr-Diode (Min.)
25 ns
Originalprodukt vom Hersteller
ROHM