Diode SS54, DO-214, 5A, 100A, DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm, 40V

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Diode SS54, DO-214, 5A, 100A, DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm, 40V. Gehäuse: DO-214. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 100A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 40V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Cj: -. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 0.6V. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. Halbleitermaterial: Sb. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS54. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 200uA. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 0.6V. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Trr-Diode (Min.): -. Originalprodukt vom Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:37

Technische Dokumentation (PDF)

SS54

20 Parameter

Gehäuse

DO-214

Vorwärtsstrom (AV)

IFSM

100A

Gehäuse (laut Datenblatt)

DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm

VRRM

40V

Anzahl der Terminals

Betriebstemperatur

-55...+125°C

Dielektrische Struktur

Anode-Kathode

Durchlassspannung Vf (min)

0.6V

Funktion

Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage

Halbleitermaterial

Kennzeichnung auf dem Gehäuse

SS54

MRT (maximal)

20mA

MRT (min)

200uA

Menge pro Karton

Montage/Installation

oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

RoHS

Schwellenspannung Vf (max)

0.6V

Spec info

Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Originalprodukt vom Hersteller

Yangzhou Yangjie Electronic