Diode TS4148RYG, SMD 0805, 150mA, 0.15A, 500mA, 100V

Diode TS4148RYG, SMD 0805, 150mA, 0.15A, 500mA, 100V

Menge
Stückpreis
10-19
0.0274fr
20-99
0.0196fr
100-499
0.0163fr
500-999
0.0144fr
1000+
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Diode TS4148RYG, SMD 0805, 150mA, 0.15A, 500mA, 100V. Gehäuse: SMD 0805. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Vorwärtsstrom (AV): 150mA. Vorwärtsstrom [A]: 0.15A. IFSM: 500mA. VRRM: 100V. Anderer Name: IN4148. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Cj: 4pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Funktion: Hochgeschwindigkeitsdioden. Halbleitermaterial: Silizium. Ifsm [A]: 2A. Komponentenfamilie: Kleinsignaldiode Oberflächenmontage (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 25nA. Maximale Temperatur: +175°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 4 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 75V. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A. Trr-Diode (Min.): 4 ns. [V]: 1V @ 100mA. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 17/12/2025, 21:11

TS4148RYG
32 Parameter
Gehäuse
SMD 0805
Vorwärtsstrom (AV)
150mA
Vorwärtsstrom [A]
0.15A
IFSM
500mA
VRRM
100V
Anderer Name
IN4148
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-65...+175°C
Cj
4pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
1V
Funktion
Hochgeschwindigkeitsdioden
Halbleitermaterial
Silizium
Ifsm [A]
2A
Komponentenfamilie
Kleinsignaldiode Oberflächenmontage (SMD)
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
5uA
MRT (maximal)
50uA
MRT (min)
25nA
Maximale Temperatur
+175°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
RoHS
ja
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
4 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
75V
Schwellenspannung Vf (max)
1V
Spec info
Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A
Trr-Diode (Min.)
4 ns
[V]
1V @ 100mA
Originalprodukt vom Hersteller
Taiwan Semiconductor
Mindestmenge
10