Diode US1M, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Halbleitermaterial: Silizium. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 5000. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Spec info: IFSM--30Ap. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Äquivalente: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. Originalprodukt vom Hersteller: Smc. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 20:52