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GBI10G, 10A, 400V
Menge
Stückpreis
1-4
1.15fr
5-24
1.01fr
25-49
0.91fr
50-99
0.82fr
100+
0.72fr
| Gleichwertigkeit vorhanden | |
| Menge auf Lager: 17 |
GBI10G, 10A, 400V. Vorwärtsstrom (AV): 10A. VRRM: 400V. Anzahl der Terminals: 4. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Dreiphasig: 0. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Gehäuse (laut Datenblatt): 30x20x3.6mm. Gehäuse: SIP / SIL. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 160A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: +~~-. Menge pro Karton: 4. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Teilung: 10x7.5x7.5mm. Originalprodukt vom Hersteller: Diodes Inc. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 17:59
GBI10G
18 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
10A
VRRM
400V
Anzahl der Terminals
4
Betriebstemperatur
-50...+150°C
Dielektrische Struktur
Diodenbrücke
Dreiphasig
0
Durchlassspannung Vf (min)
1.1V
Gehäuse (laut Datenblatt)
30x20x3.6mm
Gehäuse
SIP / SIL
Halbleitermaterial
Silizium
IFSM
160A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
+~~-
Menge pro Karton
4
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
1.1V
Teilung
10x7.5x7.5mm
Originalprodukt vom Hersteller
Diodes Inc.