LF353P
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LF353P. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Anzahl der Kreise: 2. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der operativen Verstärker: 2. Bandbreite [MHz]: 4 MHz. Funktion: Operationsverstärker. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Gehäuse: DIP. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +70°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Stromaufnahme [mA]: 3.6mA. Technologie: JFET. [V]: -. Originalprodukt vom Hersteller: Texas Instruments. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:48
LF353P
18 Parameter
Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]
13V/us
Anzahl der Kreise
2
Anzahl der Terminals
8:1
Anzahl der Terminals
8:1
Anzahl der operativen Verstärker
2
Bandbreite [MHz]
4 MHz
Funktion
Operationsverstärker
Gehäuse (laut Datenblatt)
DIP-8
Gehäuse
DIP
Komponentenfamilie
Operationsverstärker
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+70°C
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Schaltungstyp
Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke
Stromaufnahme [mA]
3.6mA
Technologie
JFET
Originalprodukt vom Hersteller
Texas Instruments