LF356N

LF356N

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LF356N. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 12V/us. Anzahl der Kanäle: 1. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Terminals: 8:1. Art der integrierten Schaltung: Operationsverstärker. Bandbreite [MHz]: 5 MHz. Bandbreite: 5MHz. Betriebsspannung: 10...36V. Betriebstemperatur: 0...70°C. Funktion: JFET-Operationsverstärker. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Gehäuse: DIP. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: LF356N. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +70°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Spannungsanstiegsrate: 12V/us. Spannungsversorgung: 10...36VDC. Spec info: Operationsverstärker. Stromaufnahme [mA]: 5mA. Technologie: JFET. [V]: -. Originalprodukt vom Hersteller: National Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:48

Technische Dokumentation (PDF)
LF356N
26 Parameter
Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]
12V/us
Anzahl der Kanäle
1
Anzahl der Kreise
1
Anzahl der Terminals
8:1
Anzahl der Terminals
8:1
Art der integrierten Schaltung
Operationsverstärker
Bandbreite [MHz]
5 MHz
Bandbreite
5MHz
Betriebsspannung
10...36V
Betriebstemperatur
0...70°C
Funktion
JFET-Operationsverstärker
Gehäuse (laut Datenblatt)
DIP-8
Gehäuse
DIP
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
LF356N
Komponentenfamilie
Operationsverstärker
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+70°C
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Schaltungstyp
Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch
Spannungsanstiegsrate
12V/us
Spannungsversorgung
10...36VDC
Spec info
Operationsverstärker
Stromaufnahme [mA]
5mA
Technologie
JFET
Originalprodukt vom Hersteller
National Semiconductor