LM258DR
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Stückpreis
1-99
0.61fr
100+
0.41fr
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LM258DR. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Anzahl der Kreise: 2. Anzahl der Terminals: 8:1. Bandbreite [MHz]: 0.7 MHz. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: SO8. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +85°C. RoHS: ja. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Stromaufnahme [mA]: 1mA. [V]: -. Originalprodukt vom Hersteller: Texas Instruments. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 20:55
LM258DR
12 Parameter
Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]
0.3V/us
Anzahl der Kreise
2
Anzahl der Terminals
8:1
Bandbreite [MHz]
0.7 MHz
Gehäuse
SO8
Komponentenfamilie
Operationsverstärker
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+85°C
RoHS
ja
Schaltungstyp
Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke
Stromaufnahme [mA]
1mA
Originalprodukt vom Hersteller
Texas Instruments