M51162P

M51162P

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5-24
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25-49
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50+
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M51162P. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: -. Anzahl der Kreise: -. Anzahl der Terminals: 20. Art des Eingangs: -. Bandbreite [MHz]: -. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: DIP20. Komponentenfamilie: -. Konfiguration: -. Maximale Ausgangsspannung: -. Maximale Temperatur: -. Maximaler Ausgangsstrom: -. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: nein. Schaltgeschwindigkeit [ns]: -. Schaltungstyp: -. Schnittstellentyp: -. Speichergröße [Byte]: -. Speicherkonfiguration: -. Speicherschaltkreisfamilie: -. Stromaufnahme [mA]: -. Verstärkungsklasse: -. Widerstand: -. [A]: -. [MHz]: -. [V]: -.. [W]: -. Originalprodukt vom Hersteller: Mitsubishi Electric Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 10:20

M51162P
5 Parameter
Anzahl der Terminals
20
Gehäuse
DIP20
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
nein
Originalprodukt vom Hersteller
Mitsubishi Electric Semiconductor

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