MC33172DR2G
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5-24
0.47fr
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100+
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MC33172DR2G. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.1V/us. Anzahl der Kreise: 2. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Terminals: 8:1. Bandbreite [MHz]: 1.8 MHz. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Funktion: Operationsverstärker. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Gehäuse: DIP. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +85°C. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). RoHS: ja. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Stromaufnahme [mA]: 0.44mA. [V]: -. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:23
MC33172DR2G
17 Parameter
Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]
2.1V/us
Anzahl der Kreise
2
Anzahl der Terminals
8:1
Anzahl der Terminals
8:1
Bandbreite [MHz]
1.8 MHz
Betriebstemperatur
-40...+85°C
Funktion
Operationsverstärker
Gehäuse (laut Datenblatt)
DIP-8
Gehäuse
DIP
Komponentenfamilie
Operationsverstärker
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+85°C
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
RoHS
ja
Schaltungstyp
Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke
Stromaufnahme [mA]
0.44mA
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor