MMBF4416A. Anzahl der Terminals: 3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 35V. Drainstrom Idss [A] bei Ug=0V: 10mA. Gate-Source-Breakpoint-Spannung Ugss [V] @ Uds=0V: -2.5V @ +15V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: SOT-23. Herstellerkennzeichnung: 6BGM. Komponentenfamilie: N-Kanal-JFET-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:06