MOCD207M. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausgang: Transistorausgang. Betriebstemperatur: -40...+100°C. CTR: 100...200 %. Courant ZF-Diode (Spitze): 1 A (PW=100us, 120pps). Diode IF: 60mA. Diodenleistung: 90mW. Diodenschwellenspannung: 1.05V. Funktion: Fototransistor-Ausgang, zweikanalig. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP SMD-8. Gehäuse: SMD. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D207. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Kollektorstrom: 150mA. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Tf (Typ): 4.7us. Tr: 3.2us. VECO: 7V. VRRM: 3750V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:33