N-Kanal-Transistor 2PG001, 30A, TO-220FP, TO-220D-A1, 300V

N-Kanal-Transistor 2PG001, 30A, TO-220FP, TO-220D-A1, 300V

Menge
Stückpreis
1-4
10.72fr
5-9
9.92fr
10-24
8.96fr
25+
8.37fr
Menge auf Lager: 5

N-Kanal-Transistor 2PG001, 30A, TO-220FP, TO-220D-A1, 300V. Ic(T=100°C): 30A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220D-A1. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 580pF. CE-Diode: nein. Funktion: Plasma-Display-Treiber. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 60.4k Ohms. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 30A. Kosten): 86pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: High speed hall time--tf=200nS(typ). Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Td(off): 120ns. Td(on): 87 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Panasonic. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35

Technische Dokumentation (PDF)
2PG001
26 Parameter
Ic(T=100°C)
30A
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220D-A1
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
300V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
580pF
CE-Diode
nein
Funktion
Plasma-Display-Treiber
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
3V
Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.
5.5V
Gate/Emitter-Spannung VGE
30 v
Germaniumdiode
nein
Ic(Impuls)
60.4k Ohms
Kanaltyp
N
Kollektorstrom
30A
Kosten)
86pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
2.5V
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
40W
RoHS
ja
Spec info
High speed hall time--tf=200nS(typ)
Sättigungsspannung VCE(sat)
2V
Td(off)
120ns
Td(on)
87 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Panasonic