N-Kanal-Transistor 2PG011, 40A, TO-220FP, TO-220D-A1, 540V

N-Kanal-Transistor 2PG011, 40A, TO-220FP, TO-220D-A1, 540V

Menge
Stückpreis
1-4
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5-9
6.67fr
10-19
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N-Kanal-Transistor 2PG011, 40A, TO-220FP, TO-220D-A1, 540V. Ic(T=100°C): 40A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220D-A1. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 540V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1200pF. CE-Diode: nein. Funktion: VGE(th) VCE=10V, IC=1mA 3.0V...5.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 230A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 40A. Kosten): 125pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: High-speed switching--tf=185ns (typ). Sättigungsspannung VCE(sat): 1.95V. Td(off): 200 ns. Td(on): 75 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Panasonic. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35

Technische Dokumentation (PDF)
2PG011
26 Parameter
Ic(T=100°C)
40A
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220D-A1
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
540V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1200pF
CE-Diode
nein
Funktion
VGE(th) VCE=10V, IC=1mA 3.0V...5.5V
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
3V
Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.
5.5V
Gate/Emitter-Spannung VGE
30 v
Germaniumdiode
nein
Ic(Impuls)
230A
Kanaltyp
N
Kollektorstrom
40A
Kosten)
125pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
2.5V
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
40W
RoHS
ja
Spec info
High-speed switching--tf=185ns (typ)
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.95V
Td(off)
200 ns
Td(on)
75 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Panasonic