N-Kanal-Transistor 2SK1507, 9A, 500uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

N-Kanal-Transistor 2SK1507, 9A, 500uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
1.34fr
5-24
1.10fr
25-49
0.93fr
50+
0.84fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 111

N-Kanal-Transistor 2SK1507, 9A, 500uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 1200pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 27A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K1507. Kosten): 150pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Td(off): 160 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: F-II Series POWER MOSFET. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Fuji Electric. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 01:03

Technische Dokumentation (PDF)
2SK1507
29 Parameter
ID (T=25°C)
9A
IDSS (max)
500uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.85 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
600V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
1200pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
10uA
Id(imp)
27A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
K1507
Kosten)
150pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
50W
Td(off)
160 ns
Td(on)
30 ns
Technologie
F-II Series POWER MOSFET
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
500 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
2.5V
Originalprodukt vom Hersteller
Fuji Electric

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