N-Kanal-Transistor 2SK2480, 3A, 100uA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

N-Kanal-Transistor 2SK2480, 3A, 100uA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Menge
Stückpreis
1-4
7.29fr
5-24
6.60fr
25-49
6.08fr
50+
5.69fr
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N-Kanal-Transistor 2SK2480, 3A, 100uA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.2 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 900pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Hochspannungsschaltanwendungen. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Id(imp): 12A. Kanaltyp: N. Kosten): 130pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Td(off): 63 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 650 ns. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Nec. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 01:03

Technische Dokumentation (PDF)
2SK2480
28 Parameter
ID (T=25°C)
3A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
3.2 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
900V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
900pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Hochspannungsschaltanwendungen
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
Id(imp)
12A
Kanaltyp
N
Kosten)
130pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
35W
RoHS
ja
Td(off)
63 ns
Td(on)
17 ns
Technologie
MOSFET-Transistor
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
650 ns
Vgs(th) max.
3.5V
Vgs(th) min.
2.5V
Originalprodukt vom Hersteller
Nec