N-Kanal-Transistor 2SK2538, 2A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V

N-Kanal-Transistor 2SK2538, 2A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V

Menge
Stückpreis
1-4
4.68fr
5-24
4.14fr
25-49
3.70fr
50+
3.45fr
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N-Kanal-Transistor 2SK2538, 2A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 250V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 220pF. Drain-Source-Schutz: nein. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Id(imp): 4A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2538. Kosten): 60pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Td(off): 90 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Power F-MOSFET. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Panasonic. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31

Technische Dokumentation (PDF)
2SK2538
27 Parameter
ID (T=25°C)
2A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
1.2 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
250V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
220pF
Drain-Source-Schutz
nein
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
Id(imp)
4A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
K2538
Kosten)
60pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
30W
RoHS
ja
Td(off)
90 ns
Td(on)
10 ns
Technologie
Power F-MOSFET
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
Panasonic