N-Kanal-Transistor 2SK2545, 3A, 6A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

N-Kanal-Transistor 2SK2545, 3A, 6A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
2.07fr
5-24
1.87fr
25-49
1.71fr
50-99
1.59fr
100+
1.42fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 30

N-Kanal-Transistor 2SK2545, 3A, 6A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.9 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 1300pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: N-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Id(imp): 24A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2545. Kosten): 130pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Td(off): 150 ns. Td(on): 45 ns. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1000 ns. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31

Technische Dokumentation (PDF)
2SK2545
27 Parameter
ID (T=100°C)
3A
ID (T=25°C)
6A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.9 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220FP
Spannung Vds(max)
600V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
1300pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
N-MOSFET-Transistor
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
Id(imp)
24A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
K2545
Kosten)
130pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
40W
RoHS
ja
Td(off)
150 ns
Td(on)
45 ns
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
1000 ns
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba

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